パフォーマンスの向上
電子デバイスがオーバーヒートすると、システムのパフォーマンスと寿命は急速に低下します。
CVDダイヤモンドヒートスプレッダーは、GaN固体化RF X帯電力増幅器、最先端ASIC、レーザーダイオード等において全システムの性能を2倍以上にすることが可能です。
従来の熱管理ソリューションの性能限界により、デバイスやコンポーネントにおいて大きな制限がみられる場合があります。そのため、航空宇宙産業、テレコミュニケーション、防衛産業の設計者はサイズ、性能と信頼性において妥協することを余儀なくされています。
化学気相成長(CVD)ダイヤモンドヒートスプレッダーは、電子分野での多岐にわたる用途において熱管理問題を軽減し、動作温度を低下させることで、パフォーマンスの改善とシステムの長寿命化に貢献します。
エレメントシックスは自社ノウハウ並びに、自社完全管理の開発能力、そして個別の熱管理要件に応じたCVDダイヤモンドソリューションを提供するためのスケーラブルなリソースを持っています。
当社とのコラボレーションにより、CSインダストリーアワーズを受賞した熱管理ソリューションメーカーとのつながりを持つことになります。そうすることでひとつひとつのコンポーネントを超え、ご使用中のシステム全体で熱管理問題を認知し解決することが可能となります。
スーパーマテリアルの性能と、各産業での用途の詳細をご覧ください。
電子デバイスがオーバーヒートすると、システムのパフォーマンスと寿命は急速に低下します。
CVDダイヤモンドヒートスプレッダーは、GaN固体化RF X帯電力増幅器、最先端ASIC、レーザーダイオード等において全システムの性能を2倍以上にすることが可能です。
CVDダイヤモンドは、ジャンクション動作温度を上昇させることなく高出力での動作を可能にします。
マルチフィンガー構造のパワーデバイスやダイオードアレイにおいて、効率的な放熱能力は安定した性能とデバイス寿命にとって最も重要な熱クロストークの軽減を導きます。
当社の新しい研究事例やe6marketing@e6.comでは、ダイヤモンドヒートスプレッダーがシリコンチップのホットスポットをどのように冷却するか詳しくご紹介しております。
銅、シリコンカーバイド、窒化アルミニウムは、一定レベルの熱管理能力がありますが、しばしば ハイパワーRFやオプトエレクトロニクスシステム が要求するパフォーマンスを供給できないことがあります。
当社TM200の室温における熱伝導率は、銅に比べて5倍、一般的に使用される酸化ベリリウムや窒化アルミニウム等のセラミックヒートスプレッダーの8~10倍です。